驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置型伺服電機(jī)（Σ－7F機(jī)型），是將以往的伺服電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器一體化的產(chǎn)品。體積是以往的伺服驅(qū)動(dòng)器部的1/2。這樣的伺服驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品設(shè)置于客戶的設(shè)備和控制柜內(nèi)，有利于實(shí)現(xiàn)機(jī)械小型化.率化。

注：GaN（氮化鎵，Gallium nitride）是Ga（鎵）和N（氮）的化合物。

使用GaN材料的功率半導(dǎo)體與Si（硅）半導(dǎo)體相比較，可以在高溫下動(dòng)作，絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度高；而與使用SiC材料的功率半導(dǎo)體相比，能夠高速開(kāi)關(guān)，具有飽和電子移動(dòng)度高等性能方面的優(yōu)勢(shì)。作為功率半導(dǎo)體，其應(yīng)用前景很值得期待。